מפרטי טק 6A10-T
מפרטים טכניים Diodes Incorporated - 6A10-T, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Diodes Incorporated - 6A10-T
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Diodes Incorporated | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 900 mV @ 6 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | R-6 | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | R-6, Axial |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 6A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 6A10 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Diodes Incorporated 6A10-T.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 6A10-T | GSD2004W-E3-08 | HFA90NH40R | JAN1N5711-1 |
| יַצרָן | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 6A | 225mA | 90A | 33mA |
| מארז התקן של הספק | R-6 | SOD-123 | D-67 HALF-PAK | DO-35 |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 900 mV @ 6 A | 1 V @ 100 mA | 1.3 V @ 90 A | 1 V @ 15 mA |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | 150°C (Max) | - | -65°C ~ 150°C |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 240 V | 400 V | 70 V |
| אריזה / מארז | R-6, Axial | SOD-123 | D-67 HALF-PAK | DO-204AH, DO-35, Axial |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 100 nA @ 240 V | 6 µA @ 400 V | 200 nA @ 70 V |
| מספר מוצר בסיס | 6A10 | GSD2004 | HFA90 | 1N5711 |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| קיבול @ Vr, F | - | 5pF @ 0V, 1MHz | - | 2pF @ 0V, 1MHz |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Schottky |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Chassis Mount | Through Hole |
| סִדרָה | - | - | HEXFRED® | Military, MIL-PRF-19500/444 |
הורד 6A10-T PDF גיליונות נתונים ותיעוד Diodes Incorporated עבור 6A10-T - Diodes Incorporated.
GSD2004W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123HFA90NH40RVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 90A D-67
6A176BTexas InstrumentsJAN1N5711-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35
HER308GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
TMM6263FILMSTMicroelectronicsDIODE SCHOTT 60V 15MA MINI MELF
6A10-TBMicro Commercial Components (MCC)6A102G
ES3BB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 100V 3A SMBCDLL5819Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
CDBF0230Comchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 1005
B380-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 80V 3A SMC
SS510AYangjie TechnologySMA 100V 5.0A Diodes Rectifier
VS-T40HFL100S05Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 40A D-55
MBRM120ET3GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
STPS8H100G-TRSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 100V 8A D2PAK
RB521S30_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
1N1343RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 16A DO4| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? [AddToCartTip]未找到翻译