מפרטי טק IPD33CN10NGATMA1
מפרטים טכניים Infineon Technologies - IPD33CN10NGATMA1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Infineon Technologies - IPD33CN10NGATMA1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 29µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PG-TO252-3 | |
| סִדרָה | OptiMOS™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 58W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1570 pF @ 50 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IPD33CN10 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Infineon Technologies IPD33CN10NGATMA1.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IPD33CN10NGATMA1 | IPD35N10S3L26ATMA1 | IPD350N06LGBTMA1 | IPD30N10S3L34ATMA1 |
| יַצרָן | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| מארז התקן של הספק | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 29µA | 2.4V @ 39µA | 2V @ 28µA | 2.4V @ 29µA |
| אריזה / מארז | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 58W (Tc) | 71W (Tc) | 68W (Tc) | 57W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| מספר מוצר בסיס | IPD33CN10 | IPD35N10 | IPD350 | IPD30N10 |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 13 nC @ 5 V | 31 nC @ 10 V |
| סִדרָה | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V | 24mOhm @ 35A, 10V | 35mOhm @ 29A, 10V | 31mOhm @ 30A, 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | 35A (Tc) | 29A (Tc) | 30A (Tc) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1570 pF @ 50 V | 2700 pF @ 25 V | 800 pF @ 30 V | 1976 pF @ 25 V |
הורד IPD33CN10NGATMA1 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Infineon Technologies עבור IPD33CN10NGATMA1 - Infineon Technologies.
IPD320N20N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPD35N10S3L-26 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD350N06LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD35CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD35N10S3L26ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 35A TO252-31IPD350N06LGBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 29A TO252-3IPD33CN10NG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD35N10S3L26Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N10S3L34ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 30A TO252-3IPD320N20N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 34A TO252-3IPD350N06LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD30N12S3L-31Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD320N20N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD320N20NIRIPD320N20N3G 320N20NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD33CN10NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD35N10S3L-26Infineon TechnologiesIPD35N10 - 75V-100V N-CHANNEL AUIPD350N06LG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.