מפרטי טק IPB180N10S402ATMA1
מפרטים טכניים Infineon Technologies - IPB180N10S402ATMA1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Infineon Technologies - IPB180N10S402ATMA1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3.5V @ 275µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-7-3 | |
| סִדרָה | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 300W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 14600 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IPB180 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Infineon Technologies IPB180N10S402ATMA1.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IPB180N10S402ATMA1 | IPB180P04P4L02ATMA1 | IPB180N10S403ATMA1 | IPB200N15N3 |
| יַצרָן | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 4.5V, 10V | 10V | 8V, 10V |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 200 nC @ 10 V | 286 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V | 31 nC @ 10 V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±16V | ±20V | ±20V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 50A (Tc) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.5mOhm @ 100A, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V | 3.3mOhm @ 100A, 10V | 20mOhm @ 50A, 10V |
| מספר מוצר בסיס | IPB180 | IPB180 | IPB180 | - |
| אריזה / מארז | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| סוג FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| פיזור הספק (מקס ') | 300W (Tc) | 150W (Tc) | 250W (Tc) | 150W (Tc) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 14600 pF @ 25 V | 18700 pF @ 25 V | 10120 pF @ 25 V | 1820 pF @ 75 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 40 V | 100 V | 150 V |
| סִדרָה | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-7-3 | PG-TO263-7-3 | PG-TO263-7-3 | PG-TO263-3-2 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3.5V @ 275µA | 2.2V @ 410µA | 3.5V @ 180µA | 4V @ 90µA |
הורד IPB180N10S402ATMA1 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Infineon Technologies עבור IPB180N10S402ATMA1 - Infineon Technologies.
IPB180N08S4-02Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N04S4-H0 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N10S4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB200N15N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N06S4-H1 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180P04P4L-02Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180P04P4L02ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 180A TO263-7IPB180N10S403ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IPB180N10S4-03INFIPB200N15N3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB180P04P4-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N04S4-H0 4N04H0Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N04S4-H0Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPB200N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 50A D2PAKIPB180N06S4-H1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB200N15N3GInfineon TechnologiesIPB200N15 - 12V-300V N-CHANNEL PIPB180N10S4-02Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB180N04S4-01 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.