מפרטי טק IPB054N06N3GATMA1
מפרטים טכניים Infineon Technologies - IPB054N06N3GATMA1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Infineon Technologies - IPB054N06N3GATMA1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 58µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-3 | |
| סִדרָה | OptiMOS™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 115W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6600 pF @ 30 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IPB054 |
| תְכוּנָה | תאור |
|---|---|
| מצב RoHs | |
| רמת רגישות לחות (MSL) | 1 (Unlimited) |
| להגיע לסטטוס | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Infineon Technologies IPB054N06N3GATMA1.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IPB054N06N3GATMA1 | IPB057N06NATMA1 | IPB054N06N3G | IPB052N04NG |
| יַצרָן | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| סִדרָה | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™ 3 |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6600 pF @ 30 V | 2000 pF @ 30 V | 6600 pF @ 30 V | 3300 pF @ 20 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| מספר מוצר בסיס | IPB054 | IPB057 | - | - |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| פיזור הספק (מקס ') | 115W (Tc) | 3W (Ta), 83W (Tc) | 115W (Tc) | 79W (Tc) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 58µA | 2.8V @ 36µA | 4V @ 58µA | 4V @ 33µA |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 40 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) | 17A (Ta), 45A (Tc) | 80A (Tc) | 70A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 82 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-3 | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 | PG-TO-263-3-2 |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 5.4mOhm @ 80A, 10V | 5.7mOhm @ 45A, 10V | 5.7mOhm @ 80A, 10V | 5.2mOhm @ 70A, 10V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
הורד IPB054N06N3GATMA1 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Infineon Technologies עבור IPB054N06N3GATMA1 - Infineon Technologies.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAKIPB054N06N3GInfineon TechnologiesIPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL PIPB052N06L3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB054N08N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06N MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB052N04NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB05CN10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB04N03LAGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB051NE8NG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB050N06NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB055N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB051NE8NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB054N06N3-GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N06N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 80A D2PAK| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.