מפרטי טק IPB026N06NATMA1
מפרטים טכניים Infineon Technologies - IPB026N06NATMA1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Infineon Technologies - IPB026N06NATMA1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.8V @ 75µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-3 | |
| סִדרָה | OptiMOS™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 3W (Ta), 136W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4100 pF @ 30 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IPB026 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Infineon Technologies IPB026N06NATMA1.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IPB026N06NATMA1 | IPB027N10N5ATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 | IPB029N06N3GATMA1 |
| יַצרָן | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| פיזור הספק (מקס ') | 3W (Ta), 136W (Tc) | 250W (Tc) | 300W (Tc) | 188W (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | 100 V | 100 V | 60 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מספר מוצר בסיס | IPB026 | IPB027 | IPB025 | IPB029 |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4100 pF @ 30 V | 10300 pF @ 50 V | 14800 pF @ 50 V | 13000 pF @ 30 V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta), 100A (Tc) | 120A (Tc) | 180A (Tc) | 120A (Tc) |
| סִדרָה | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.8V @ 75µA | 3.8V @ 184µA | 3.5V @ 275µA | 4V @ 118µA |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.6mOhm @ 100A, 10V | 2.7mOhm @ 100A, 10V | 2.5mOhm @ 100A, 10V | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| מארז התקן של הספק | PG-TO263-3 | PG-TO263-3 | PG-TO263-7 | PG-TO263-3 |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 56 nC @ 10 V | 139 nC @ 10 V | 206 nC @ 10 V | 165 nC @ 10 V |
הורד IPB026N06NATMA1 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Infineon Technologies עבור IPB026N06NATMA1 - Infineon Technologies.
IPB027N10N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB026N06N3G 026N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB029N06N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N10N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB027N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A D2PAKIPB030N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7IPB024N10N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB029N06N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A D2PAKIPB025N10N3G 025N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7IPB029N06N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 120A D2PAKIPB027N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A D2PAKIPB026N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB025N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB027N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.