מפרטי טק IRL610A
מפרטים טכניים onsemi - IRL610A, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRL610A
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 33W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 240 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IRL61 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRL610A.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRL610A | IRL610A | IRL60S216 | IRL620PBF |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| פיזור הספק (מקס ') | 33W (Tc) | 33W (Tc) | 375W (Tc) | 50W (Tc) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | 5V | 4.5V, 10V | 4V, 5V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V | 1.5Ohm @ 1.65A, 5V | 1.95mOhm @ 100A, 10V | 800mOhm @ 3.1A, 5V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מספר מוצר בסיס | IRL61 | - | IRL60S216 | IRL620 |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 9 nC @ 5 V | 9 nC @ 5 V | 255 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 5 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | 200 V | 60 V | 200 V |
| סִדרָה | - | - | HEXFET®, StrongIRFET™ | - |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 240 pF @ 25 V | 240 pF @ 25 V | 15330 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Tc) | 3.3A (Tc) | 195A (Tc) | 5.2A (Tc) |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | PG-TO263-3 | TO-220AB |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±10V |
הורד IRL610A PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור IRL610A - onsemi.
IRL610AFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3IRL60S216Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRL620SPBF MOSIRIRL620PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 5.2A TO220ABIRL620S L620SIRIRL610A MOSFairchild (onsemi)IRL620SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAKIRL5NJ7404SCVIRIRL620SVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
IRL60SL216InfineonIRL60B216International RectifierIRL60B216 - 12V-300V N-CHANNEL PIRL60R085P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL620Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 5.2A TO220ABIRL5NJ7404SCXIRIRL5NJ7404IRIRL60HS118Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFNIRL60SC216Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRL620S MOSIR| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.