מפרטי טק IRF840B
מפרטים טכניים onsemi - IRF840B, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF840B
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 134W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1800 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IRF84 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF840B.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF840B | IRF840L | IRF840LCL | IRF840LCLPBF |
| יַצרָן | onsemi | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 53 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1800 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | I2PAK | I2PAK | I2PAK |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 800mOhm @ 4A, 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V | 850mOhm @ 4.8A, 10V |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 134W (Tc) | 125W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 8A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| מספר מוצר בסיס | IRF84 | IRF840 | IRF840 | IRF840 |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
הורד IRF840B PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור IRF840B - onsemi.
IRF840LVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A I2PAKIRF840LCLVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A I2PAKIRF840LCLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A I2PAKIRF840ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A D2PAKIRF840ALVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A I2PAKIRF840ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF840I-HF MOSAPECIRF840ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A I2PAKIRF840ASTRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A D2PAKIRF840AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A TO220ABIRF840L MOSIRIRF840LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IRF840ASTRLPBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF840/IRF840PBFIRIRF840BPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
IRF840FISTMicroelectronicsIRF840APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A TO220ABIRF840LCSVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.