מפרטי טק IRF820
מפרטים טכניים onsemi - IRF820, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF820
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 50W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 360 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF820.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF820 | IRF820ASPBF | IRF820A | IRF8113TR |
| יַצרָן | onsemi | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| פיזור הספק (מקס ') | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 500 V | 500 V | 30 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | 8-SO |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 36 nC @ 4.5 V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 360 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V | 340 pF @ 25 V | 2910 pF @ 15 V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | 17.2A (Ta) |
| סִדרָה | - | - | - | HEXFET® |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
IRF820ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF8113TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF8113GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF820APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF8113 MOSIR
IRF820BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF8113TRPBF MOSIRFIRF8113TR MOSIRIRF8113UTRPBFIRIRF8113TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF8113TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF820STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4A TO220ABIRF820ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IRF8113GPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 17.2A 8SOIRF820Harris Corporation2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.