מפרטי טק IRF730
מפרטים טכניים onsemi - IRF730, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF730
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 74W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 700 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 400 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF730.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF730 | IRF730 | IRF730 | IRF7241PBF |
| יַצרָן | onsemi | STMicroelectronics | NTE Electronics, Inc | International Rectifier |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Bag | Bulk |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 6.2A (Ta) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| פיזור הספק (מקס ') | 74W (Tc) | 100W (Tc) | 74W (Tc) | 2.5W (Ta) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| סִדרָה | - | PowerMESH™ II | - | HEXFET® |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 1Ohm @ 3A, 10V | 1Ohm @ 3.3A, 10V | 41mOhm @ 6.2A, 10V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 400 V | 400 V | 400 V | 40 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | TO-220 | TO-220 | 8-SO |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 700 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V | 700 pF @ 25 V | 3220 pF @ 25 V |
IRF730STMicroelectronicsMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220ABIRF7301TRPBF MOSIRIRF7301TRIRIRF7241TR MOSIRIRF730NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220IRF7303IR
IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7303TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOICIRF7241PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF7301PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF730Harris CorporationN-CHANNEL, MOSFETIRF7303TRIRIRF7241TRInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 6.2A 8SOIRF7241TRPBF MOSIRIRF7301TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICIRF7301IR
IRF730Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? [AddToCartTip]未找到翻译