מפרטי טק IRF710
מפרטים טכניים onsemi - IRF710, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF710
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 36W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 170 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 400 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF710.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF710 | IRF6810STRPBF | IRF6893MTRPBF | IRF6898MTRPBF |
| יַצרָן | onsemi | International Rectifier | Infineon Technologies | International Rectifier |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | DIRECTFET S1 | DIRECTFET™ MX | DirectFET™ Isometric MX |
| סִדרָה | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| פיזור הספק (מקס ') | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 20W (Tc) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric S1 | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MX |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) | 16A (Ta), 50A (Tc) | 29A (Ta), 168A (Tc) | 40A (Ta), 214A (Tc) |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±16V | ±16V | ±16V |
| מאפיין FET | - | - | - | Schottky Diode (Body) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| חֲבִילָה | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | 11 nC @ 4.5 V | 38 nC @ 4.5 V | 68 nC @ 4.5 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 2.1V @ 25µA | 2.1V @ 100µA | 2.1V @ 100µA |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 400 V | 25 V | 25 V | 25 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 5.2mOhm @ 16A, 10V | 1.6mOhm @ 29A, 10V | 1.1mOhm @ 40A, 10V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 170 pF @ 25 V | 1038 pF @ 13 V | 3480 pF @ 13 V | 5630 pF @ 13 V |
IRF6810STRPBFInternational RectifierPFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,IRF6802SDTRPBFInternational Rectifier25V DUAL CONTROL FET IN S- CANIRF7101IRIRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFETIRF7101PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF6898MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECTIRF6894MTRPBF MOSIRIRF7101PBF MOSIR
IRF710Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF7101TRIRF
IRF710Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF7101 MOSIR
IRF7101TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOICIRF6894MTRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF710Harris CorporationPFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-EIRF6811STRPBF MOSIRIRF6811STRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFTIRF6892STRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LV| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.