מפרטי טק IRF530A
מפרטים טכניים onsemi - IRF530A, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF530A
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 110mOhm @ 7A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 55W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 790 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IRF530 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF530A.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF530A | IRF5305SPBF | IRF530NSTRLPBF | IRF530NS |
| יַצרָן | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר מוצר בסיס | IRF530 | IRF5305 | IRF530 | - |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V | 37 nC @ 10 V |
| פיזור הספק (מקס ') | 55W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | 3.8W (Ta), 70W (Tc) | 3.8W (Ta), 70W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| סִדרָה | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| סוג FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 790 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V | 920 pF @ 25 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 110mOhm @ 7A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V | 90mOhm @ 9A, 10V | 90mOhm @ 9A, 10V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 31A (Tc) | 17A (Tc) | 17A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 55 V | 100 V | 100 V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
הורד IRF530A PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור IRF530A - onsemi.
IRF5305TRPBFIRIRF530NPBF MOSIRIRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF530NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF530NSTRLIRIRF5305STRIRIRF530NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A D2PAKIRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
IRF530LVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO262
IRF530NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 17A TO220ABIRF530NSTRPBFIRIRF5305S MOSIR
IRF530NSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF5305S/F5305SIRIRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF5305STRPBFVBSEMIIRF530NIR
IRF530AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.