מפרטי טק IRF520
מפרטים טכניים onsemi - IRF520, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - IRF520
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 270mOhm @ 5.6A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 60W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tube | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 350 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi IRF520.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF520 | IRF520NPBF | IRF520NSTRLPBF | IRF520N |
| יַצרָן | onsemi | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9.2A (Tc) | 9.7A (Tc) | 9.7A (Tc) | 9.7A (Tc) |
| סִדרָה | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 270mOhm @ 5.6A, 10V | 200mOhm @ 5.7A, 10V | 200mOhm @ 5.7A, 10V | 200mOhm @ 5.7A, 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | TO-220AB | D2PAK | TO-220AB |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 60W (Tc) | 48W (Tc) | 3.8W (Ta), 48W (Tc) | 48W (Tc) |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 350 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V | 330 pF @ 25 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
IRF520NS MOSIRIRF520ASECIRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABIRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKIRF520NSTRPBFIRIRF520NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
IRF510SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAKIRF520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF520NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKIRF511IRIRF510STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO263IRF511SIRIRF520MotorolaMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF520Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF510STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF520NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO262
IRF520STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 10A TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.