מפרטי טק H11D4SD
מפרטים טכניים onsemi - H11D4SD, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - H11D4SD
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| מתח - יציאה (מקס ') | 200V | |
| מתח - בידוד | 5300Vrms | |
| מתח - קדמי (VF) (טיפוסי) | 1.15V | |
| רוויה Vce (מקס) | 400mV | |
| הפעלה / כיבוי של זמן (טיפוסי) | 5µs, 5µs | |
| מארז התקן של הספק | 6-SMD | |
| סִדרָה | - | |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | - | |
| אריזה / מארז | 6-SMD, Gull Wing | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| סוג פלט | Transistor with Base | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 100°C | |
| מספר הערוצים | 1 | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| סוג קלט | DC | |
| יחס ההעברה הנוכחית (Min) | 10% @ 10mA | |
| יחס העברה נוכחי (מקס) | - | |
| זרם - יציאה / ערוץ | 100mA | |
| זרם - DC קדימה (אם) (מקס ') | 80 mA | |
| מספר מוצר בסיס | H11D |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi H11D4SD.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | H11D4SD | H11F1SR2M | H11F2SD | H11F1M |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| מתח - בידוד | 5300Vrms | 7500Vpk | 5300Vrms | 7500Vpk |
| זרם - DC קדימה (אם) (מקס ') | 80 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
| הפעלה / כיבוי של זמן (טיפוסי) | 5µs, 5µs | 45µs, 45µs (Max) | 25µs, 25µs (Max) | 45µs, 45µs (Max) |
| יחס ההעברה הנוכחית (Min) | 10% @ 10mA | - | - | - |
| מספר מוצר בסיס | H11D | H11F1 | H11F | H11F1 |
| מספר הערוצים | 1 | 1 | 1 | 1 |
| רוויה Vce (מקס) | 400mV | - | - | - |
| אריזה / מארז | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-SMD, Gull Wing | 6-DIP (0.300', 7.62mm) |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| יחס העברה נוכחי (מקס) | - | - | - | - |
| סוג קלט | DC | DC | DC | DC |
| מארז התקן של הספק | 6-SMD | 6-SMD | 6-SMD | 6-DIP |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -55°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | - | - | - | - |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| מתח - קדמי (VF) (טיפוסי) | 1.15V | 1.3V | 1.3V | 1.3V |
| סוג פלט | Transistor with Base | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| זרם - יציאה / ערוץ | 100mA | - | - | - |
| מתח - יציאה (מקס ') | 200V | 30V | 30V | 30V |
הורד H11D4SD PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור H11D4SD - onsemi.
H11D4.300WAMI Semiconductor/onsemiH11D4.3SDAMI Semiconductor/onsemiH11F1SR2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMDH11F2SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F1MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11F2MonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
H11F1MFairchild SemiconductorOPTO.H11D4.SDAMI Semiconductor/onsemiH11D3SDonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMDH11D4.3SAMI Semiconductor/onsemiH11D4.300AMI Semiconductor/onsemiH11F1VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11D3SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6SMDH11F1SDonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11D4.SAMI Semiconductor/onsemiH11F1SonsemiOPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMDH11F1SMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD
H11D3WonsemiOPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.