מפרטי טק FQP8P10
מפרטים טכניים onsemi - FQP8P10, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP8P10
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 65W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 470 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP8 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP8P10.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP8P10 | FQP9N15 | FQP8P10 | FQP8N90C |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 530mOhm @ 4A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 530mOhm @ 4A, 10V | 1.9Ohm @ 3.15A, 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| סִדרָה | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±25V | ±30V | ±30V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 65W (Tc) | 75W (Tc) | 65W (Tc) | 171W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| סוג FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 9A (Tc) | 8A (Tc) | 6.3A (Tc) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 150 V | 100 V | 900 V |
| מספר מוצר בסיס | FQP8 | - | - | FQP8 |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 470 pF @ 25 V | 410 pF @ 25 V | 470 pF @ 25 V | 2080 pF @ 25 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V | 45 nC @ 10 V |
הורד FQP8P10 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP8P10 - onsemi.
FQP9N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP8P10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP8N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3FQP8N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQP8N60C MOSFairchild (onsemi)FQP9N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3FQP8N80C MOSFairchild (onsemi)FQP90N10V2onsemiMOSFET N-CH 100V 90A TO220-3FQP9N25Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
FQP8N25FSCFQP9N08onsemiMOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3FQP8N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3FQP90N08onsemiMOSFET N-CH 80V 71A TO220-3FQP8N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP9N08 MOSFairchild (onsemi)FQP8N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 8A TO220-3FQP9N15onsemiMOSFET N-CH 150V 9A TO220-3FQP8N90CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.