מפרטי טק FQP630
מפרטים טכניים onsemi - FQP630, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP630
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±25V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 78W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP6 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP630.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP630 | FQP6N25 | FQP65N06 | FQP630 |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | 250 V | 60 V | 200 V |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (מקס ') | ±25V | ±30V | ±25V | ±25V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 1Ohm @ 2.75A, 10V | 16mOhm @ 32.5A, 10V | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 78W (Tc) | 63W (Tc) | 150W (Tc) | 78W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| מספר מוצר בסיס | FQP6 | FQP6 | FQP65 | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סִדרָה | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 8.5 nC @ 10 V | 65 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 2410 pF @ 25 V | 550 pF @ 25 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 5.5A (Tc) | 65A (Tc) | 9A (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
הורד FQP630 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP630 - onsemi.
FQP630 MOSFairchild (onsemi)FQP6N25onsemiMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 65A TO220-3FQP5P20 MOSFairchild (onsemi)FQP630Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 9A TO220-3FQP60N06Fairchild (onsemi)FQP5N90CFairchild (onsemi)FQP5P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3
FQP60N10KERSEMIFQP5P10 MOSFairchild (onsemi)FQP5P10onsemiMOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3FQP5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3FQP6N40CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP630TSTU MOSFairchild (onsemi)FQP6N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP65N06 MOSFairchild (onsemi)FQP5P20onsemiMOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3FQP65N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.