מפרטי טק FQP630
מפרטים טכניים onsemi - FQP630, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP630
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±25V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 78W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP6 |
| תְכוּנָה | תאור |
|---|---|
| מצב RoHs | |
| רמת רגישות לחות (MSL) | 1 (Unlimited) |
| להגיע לסטטוס | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP630.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP630 | FQP5P20 | FQP6N25 | FQP5P10 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | 200 V | 250 V | 100 V |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (מקס ') | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V | 1.4Ohm @ 2.4A, 10V | 1Ohm @ 2.75A, 10V | 1.05Ohm @ 2.25A, 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 78W (Tc) | 75W (Tc) | 63W (Tc) | 40W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| מספר מוצר בסיס | FQP6 | - | FQP6 | FQP5 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סִדרָה | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 8.5 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 10 V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | 430 pF @ 25 V | 300 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V |
| סוג FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 4.8A (Tc) | 5.5A (Tc) | 4.5A (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
הורד FQP630 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP630 - onsemi.
FQP5P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3FQP6N25onsemiMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP5P10onsemiMOSFET P-CH 100V 4.5A TO220-3FQP630TSTU MOSFairchild (onsemi)FQP5N90CFairchild (onsemi)FQP630 MOSFairchild (onsemi)FQP5P10 MOSFairchild (onsemi)FQP65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 65A TO220-3FQP5P20 MOSFairchild (onsemi)
FQP60N10KERSEMIFQP60N03LFairchild (onsemi)FQP65N06 MOSFairchild (onsemi)FQP5P20onsemiMOSFET P-CH 200V 4.8A TO220-3FQP6N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3FQP65N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP630Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 9A TO220-3FQP60N06Fairchild (onsemi)FQP6N40Fairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.