מפרטי טק FQP2N80
מפרטים טכניים onsemi - FQP2N80, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP2N80
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 6.3Ohm @ 1.2A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 85W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP2 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP2N80.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP2N80 | FQP2N60C | FQP2P25 | FQP2P40 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| סִדרָה | QFET® | * | QFET® | QFET® |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | - | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 6.3Ohm @ 1.2A, 10V | - | 4Ohm @ 1.15A, 10V | 6.5Ohm @ 1A, 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | - | 8.5 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) | - | 2.3A (Tc) | 2A (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (מקס ') | ±30V | - | ±30V | ±30V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | - | 10V | 10V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 550 pF @ 25 V | - | 250 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| סוג FET | N-Channel | - | P-Channel | P-Channel |
| פיזור הספק (מקס ') | 85W (Tc) | - | 52W (Tc) | 63W (Tc) |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | - | TO-220-3 | TO-220-3 |
| מספר מוצר בסיס | FQP2 | - | - | FQP2 |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | - | 250 V | 400 V |
| סוג השמה | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| חֲבִילָה | Tube | Bulk | Tube | Tube |
הורד FQP2N80 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP2N80 - onsemi.
FQP2N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2FQP2P25Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3FQP2P40onsemiMOSFET P-CH 400V 2A TO220-3FQP27P06onsemiMOSFET P-CH 60V 27A TO220-3FQP32N12V2Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 120V 32A TO220-3FQP2N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3FQP2N60onsemiMOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3FQP30N06onsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3FQP32N12V2onsemiMOSFET N-CH 120V 32A TO220-3FQP2P25onsemiMOSFET P-CH 250V 2.3A TO220-3FQP2N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 2A TO220-3FQP2N40onsemiMOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3FQP2N90onsemiMOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3FQP30N06LonsemiMOSFET N-CH 60V 32A TO220-3FQP27P06 MOSFairchild (onsemi)FQP2N30onsemiMOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3FQP30N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP2N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.