מפרטי טק FDS2582
מפרטים טכניים onsemi - FDS2582, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDS2582
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | 8-SOIC | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 66mOhm @ 4.1A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 2.5W (Ta) | |
| אריזה / מארז | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1290 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 150 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | FDS25 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDS2582.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDS2582 | FDS2672 | FDS2672 | FDS2572 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| מספר מוצר בסיס | FDS25 | - | FDS26 | FDS25 |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 66mOhm @ 4.1A, 10V | 70mOhm @ 3.9A, 10V | 70mOhm @ 3.9A, 10V | 47mOhm @ 4.9A, 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 150 V | 200 V | 200 V | 150 V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 46 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| פיזור הספק (מקס ') | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| מארז התקן של הספק | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| סִדרָה | PowerTrench® | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Ta) | 3.9A (Ta) | 3.9A (Ta) | 4.9A (Tc) |
| אריזה / מארז | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1290 pF @ 25 V | 2535 pF @ 100 V | 2535 pF @ 100 V | 2050 pF @ 25 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
הורד FDS2582 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDS2582 - onsemi.
FDS2582-NLVBSEMI
FDS2582 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS2670-NLFairchild (onsemi)FDS2672Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FDS2572-NLFairchild (onsemi)FDS2672onsemiMOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOICFDS2572onsemiMOSFET N-CH 150V 4.9A 8SOICFDS2570Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS2670Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDS2670NLFairchild (onsemi)FDS2572Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS2572_NLFairchild (onsemi)FDS2570-NLFairchild (onsemi)FDS2572 MOSFairchild (onsemi)FDS2670 MOSFairchild (onsemi)FDS2670onsemiMOSFET N-CH 200V 3A 8SOICFDS2582Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS2170N7.Fairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.