מפרטי טק FDR842P
מפרטים טכניים onsemi - FDR842P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDR842P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±8V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-8 | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 9mOhm @ 11A, 4.5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.8W (Ta) | |
| אריזה / מארז | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 5350 pF @ 6 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 1.8V, 4.5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 12 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | FDR84 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDR842P.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDR842P | FDR838P | FDR836P | FDR858P |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| סִדרָה | - | - | PowerTrench® | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 9mOhm @ 11A, 4.5V | 17mOhm @ 8A, 4.5V | 30mOhm @ 6.1A, 4.5V | 19mOhm @ 8A, 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מספר מוצר בסיס | FDR84 | FDR83 | - | FDR85 |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (מקס ') | ±8V | ±8V | ±8V | ±20V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) | 8A (Ta) | 6.1A (Ta) | 8A (Ta) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 | SuperSOT™-8 |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 1.8V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 4.5V, 10V |
| סוג FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.8W (Ta) | 1.8W (Ta) | 900mW (Ta) | 1.8W (Ta) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 5350 pF @ 6 V | 3300 pF @ 10 V | 2200 pF @ 25 V | 2010 pF @ 15 V |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V | 45 nC @ 4.5 V | 44 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 5 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 12 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| אריזה / מארז | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
הורד FDR842P PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDR842P - onsemi.
FDR838PonsemiMOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8FDR836PFairchild SemiconductorP-CHANNEL MOSFETFDR8321LFairchild (onsemi)FDR8508PonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8FDR8521LFairchildFDR858PonsemiMOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
FDRW12S120JFUJIFDR838P_NLFairchild (onsemi)FDR840PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8FDR840PonsemiMOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8FDR8508P MOSFairchild (onsemi)FDR858P MOSFairchild (onsemi)
FDRW35S60LFujitsu Electronics America, Inc.FDR838P MOSFDSFDRC0001FDR840P MOSFairchild (onsemi)FDR8508PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDR840P-NDFairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.