מפרטי טק FDP8876
מפרטים טכניים onsemi - FDP8876, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDP8876
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 8.7mOhm @ 40A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 70W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1700 pF @ 15 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FDP88 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDP8876.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDP8876 | FDP8874 | FDP8870 | FDP8896 |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| סִדרָה | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| פיזור הספק (מקס ') | 70W (Tc) | 110W (Tc) | 160W (Tc) | 80W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) | 16A (Ta), 114A (Tc) | 19A (Ta), 156A (Tc) | 16A (Ta), 92A (Tc) |
| מספר מוצר בסיס | FDP88 | FDP88 | FDP88 | FDP88 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 45 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V | 132 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1700 pF @ 15 V | 3130 pF @ 15 V | 5200 pF @ 15 V | 2525 pF @ 15 V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 8.7mOhm @ 40A, 10V | 5.3mOhm @ 40A, 10V | 4.1mOhm @ 35A, 10V | 5.9mOhm @ 35A, 10V |
הורד FDP8876 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDP8876 - onsemi.
FDP8874onsemiMOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3FDP8870onsemiMOSFET N-CH 30V 156A TO-220ABFDP8896onsemiMOSFET N-CH 30V 16A/92A TO220-3
FDP8860Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8896 MOSFairchild (onsemi)FDP8860 MOSFairchild (onsemi)FDP8880 MOSFairchild (onsemi)FDP8870 MOSFairchild (onsemi)FDP8874Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8870Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP8880Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP8874 MOSFairchild (onsemi)FDP8880onsemiMOSFET N-CH 30V 11A/54A TO220-3FDP8870_F085Fairchild (onsemi)FDP8896Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP8878onsemiMOSFET N-CH 30V 40A TO220-3FDP8876Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3FDP8876 MOSFairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.