מפרטי טק FDP7N50
מפרטים טכניים onsemi - FDP7N50, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDP7N50
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | UniFET™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 89W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 940 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FDP7 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDP7N50.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDP7N50 | FDP7N60NZ | FDP75N08 | FDP8440 |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| סִדרָה | UniFET™ | UniFET-II™ | UniFET™ | PowerTrench® |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) | 6.5A (Tc) | 75A (Tc) | 100A (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| חֲבִילָה | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±30V | ±20V | ±20V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 940 pF @ 25 V | 730 pF @ 25 V | 4468 pF @ 25 V | 24740 pF @ 25 V |
| פיזור הספק (מקס ') | 89W (Tc) | 147W (Tc) | 131W (Tc) | 306W (Tc) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 600 V | 75 V | 40 V |
| מספר מוצר בסיס | FDP7 | - | FDP75 | - |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | 17 nC @ 10 V | 104 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 900mOhm @ 3.5A, 10V | 1.25Ohm @ 3.25A, 10V | 11mOhm @ 37.5A, 10V | 2.2mOhm @ 80A, 10V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
הורד FDP7N50 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDP7N50 - onsemi.
FDP7N60NZonsemiPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDP75N08onsemiMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP8440Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDP79N15onsemiMOSFET N-CH 150V 79A TO220-3FDP79N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 79A TO220-3FDP75N08 MOSFairchild (onsemi)FDP8030L MOSFairchild (onsemi)FDP75N08A MOSFairchild (onsemi)FDP7N60NZ MOSFairchild (onsemi)FDP8030LonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP80N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FDP80N06 MOSFairchild (onsemi)FDP75N08AonsemiMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP75N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 75V 75A TO220-3FDP75N08AFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDP8030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP80N06onsemiMOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
FDP760 H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.