מפרטי טק FDH3632
מפרטים טכניים onsemi - FDH3632, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDH3632
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-247-3 | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 9mOhm @ 80A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 310W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-247-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6000 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FDH363 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDH3632.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDH3632 | FDH3632 | FDH5500 | FDH5500 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| מספר מוצר בסיס | FDH363 | - | - | FDH550 |
| מארז התקן של הספק | TO-247-3 | TO-247 | TO-247 | TO-247-3 |
| אריזה / מארז | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 9mOhm @ 80A, 10V | 9mOhm @ 80A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 310W (Tc) | 310W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) |
| סִדרָה | PowerTrench® | PowerTrench® | UltraFET™ | UltraFET™ |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±30V | ±30V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 268 nC @ 20 V | 268 nC @ 20 V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6000 pF @ 25 V | 6000 pF @ 25 V | 3565 pF @ 25 V | 3565 pF @ 25 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) | 12A (Ta), 80A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 100 V | 55 V | 55 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
הורד FDH3632 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDH3632 - onsemi.
FDH3632Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1FDH5500Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3FDH5500onsemiMOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
FDH300ATRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH3632 MOSFairchild (onsemi)FDH44N50onsemiMOSFET N-CH 500V 44A TO247-3FDH333onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH45N50FFairchild (onsemi)FDH333TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH44N50 MOSFairchild (onsemi)FDH50N50Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 48A TO247-3FDH2N60FEIHONGFDH300ATRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH333TRFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 0.2A, 125V, DO-FDH300onsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH300TRonsemiDIODE GEN PURP 125V 200MA DO35FDH50N50onsemiMOSFET N-CH 500V 48A TO247-3| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.