מפרטי טק FDC855N
מפרטים טכניים onsemi - FDC855N, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDC855N
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-6 | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 27mOhm @ 6.1A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.6W (Ta) | |
| אריזה / מארז | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 655 pF @ 15 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 6.1A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | FDC855 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDC855N.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDC855N | FDC86244 | FDC796N | FDC855N |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 27mOhm @ 6.1A, 10V | 144mOhm @ 2.3A, 10V | 9mOhm @ 12.5A, 10V | 27mOhm @ 6.1A, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| מספר מוצר בסיס | FDC855 | FDC8624 | FDC796 | - |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 2W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 20 nC @ 5 V | 13 nC @ 10 V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 655 pF @ 15 V | 345 pF @ 75 V | 1444 pF @ 15 V | 655 pF @ 15 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 FLMP | SuperSOT™-6 |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30 V | 150 V | 30 V | 30 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 6.1A (Ta) | 2.3A (Ta) | 12.5A (Ta) | 6.1A (Ta) |
| סִדרָה | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| אריזה / מארז | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
הורד FDC855N PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDC855N - onsemi.
FDC86244onsemiMOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6FDC855N MOSFairchild (onsemi)FDC796NonsemiMOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6FDC855NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC8602onsemiMOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOTFDC796NFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6FDC8878onsemiMOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6FDC8878 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC8602 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDC8601onsemiMOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6FDC697PCT-NDFairchild (onsemi)FDC8601-NLFairchild (onsemi)FDC796Fairchild (onsemi)FDC8601 MOSFairchild (onsemi)FDC796N MOSFairchild (onsemi)FDC796N-NLFairchild (onsemi)FDC813Fairchild (onsemi)FDC7967Fairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.