מפרטי טק FDC642P
מפרטים טכניים onsemi - FDC642P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDC642P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±8V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-6 | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.6W (Ta) | |
| אריזה / מארז | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 925 pF @ 10 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 2.5V, 4.5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 20 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | FDC642 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDC642P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDC642P | FDC640P | FDC642P-F085P | FDC642P |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) | 4.5A (Ta) | 4A (Ta) | 4A (Ta) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| אריזה / מארז | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| סִדרָה | PowerTrench® | PowerTrench® | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | PowerTrench® |
| מארז התקן של הספק | SuperSOT™-6 | SuperSOT™-6 | TSOT-23-6 | SuperSOT™-6 |
| מספר מוצר בסיס | FDC642 | FDC640 | FDC642 | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (מקס ') | ±8V | ±12V | ±8V | ±8V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 65mOhm @ 4A, 4.5V | 53mOhm @ 4.5A, 4.5V | 65mOhm @ 4A, 4.5V | 65mOhm @ 4A, 4.5V |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 925 pF @ 10 V | 890 pF @ 10 V | 630 pF @ 10 V | 925 pF @ 10 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V | 13 nC @ 4.5 V | 9 nC @ 4.5 V | 16 nC @ 4.5 V |
| סוג FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.6W (Ta) | 1.6W (Ta) | 1.2W (Ta) | 1.6W (Ta) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
הורד FDC642P PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDC642P - onsemi.
FDC642P-NLFairchild (onsemi)FDC640P MOSFairchild (onsemi)FDC640PonsemiMOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6FDC642P-F085PonsemiMOSFET P-CH 20V 4A TSOT23-6FDC6432SHonsemiMOSFET N/P-CH 30V/12V SSOT-6FDC6420C-NLVBSEMIFDC6420ConsemiMOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6FDC6401NonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6FDC6420C_NLAMI Semiconductor/onsemiFDC6432SHFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDC640P-NLFairchild (onsemi)FDC642P MOSFairchild (onsemi)FDC6392S MOSFairchild (onsemi)FDC642P_NLFairchild (onsemi)FDC642PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC645NFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDC6420MIFDC6432SH MOSFairchild (onsemi)| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.