מפרטי טק 1N5408G
מפרטים טכניים onsemi - 1N5408G, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - 1N5408G
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | Axial | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | DO-201AA, DO-27, Axial |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5408 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi 1N5408G.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5408G | 1N5408-E3/54 | 1N5408G | 1N5408G |
| יַצרָן | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | SMC Diode Solutions | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| אריזה / מארז | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מספר מוצר בסיס | 1N5408 | 1N5408 | 1N540 | - |
| מארז התקן של הספק | Axial | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD (DO-27) |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| חֲבִילָה | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| קיבול @ Vr, F | - | 30pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 2.5 µA @ 1000 V |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
הורד 1N5408G PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור 1N5408G - onsemi.
1N5408_AY_10001-PECPANJIT
1N5408-05Taiwan Semiconductor1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408GSMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408G_AY_00001PANJIT1N5408GYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO15
1N5408GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408 S3MTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
1N5408RLGonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL
1N5408-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408-BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408RLonsemiDIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL1N5408-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408G_HFLITEON| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.