מפרטי טק 1N5408
מפרטים טכניים onsemi - 1N5408, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - 1N5408
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.2 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-201AD | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | DO-201AD, Axial |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5408 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi 1N5408.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5408 | 1N5407-T | 1N5408 | 1N5408 |
| יַצרָן | onsemi | Diodes Incorporated | NTE Electronics, Inc | Yangjie Technology |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| אריזה / מארז | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| קיבול @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz | 25pF @ 4V, 1MHz | 30pF @ 4V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| מארז התקן של הספק | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag | Tape & Box (TB) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 800 V | 1000 V | 1000 V |
| מספר מוצר בסיס | 1N5408 | 1N5407 | - | - |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.2 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A | 1.2 V @ 3 A |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
הורד 1N5408 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור 1N5408 - onsemi.
1N5407-TDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5408NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408Yangjie TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5407Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 800V 3A
1N5408-05Taiwan Semiconductor
1N5407Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
1N5407-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
1N5407SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD1N5408SMC Diode SolutionsDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD1N5408Diotec SemiconductorDIODE STD DO-201 1000V 3A1N5407-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
1N5408-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
1N5407RLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5408-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
1N5408 S3MTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5408Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 1V 3A DO151N5407onsemiDIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL1N5408-BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.