סמסונג משיקה DRAM ברמה 12 ננומטר 32 ג'יגה -בתים DDR5, ותומכת במודולי זיכרון של עד 128 ג'יגה
על פי נתוני WCCFTECH, סמסונג הודיעה על השקת הפיתרון הראשון של DRAM5 DDRAM של 32 ג'יגה -בייט המבוסס על טכנולוגיית תהליכים של 12 ננומטר, שיכול לתמוך במודולי זיכרון של עד 128 ג'יגה -בייט.
עד כה, יצרני הזיכרון כמו SK Hynix ו- Micron סיפקו 24 ג'יגה -בייט DDR5 DRAM, שיכול להשיג פיתרון זיכרון של 96 ג'יגה -בייט, אך סמסונג העלתה את הקיבולת ב -33.3% עם פיתרון ברמה של 12 ננומטר.במקביל, מיקרון אישר גם את השקת DRAM של 32 ג'יגה -בייט, אך עד כה רק מפת דרכים שוחררה.
סמסונג הודיעה על תחילת הייצור ההמוני של 12 ננומטר ברמה 16 ג'יגה -בייט DDRAM במאי השנה.DRAM החדש ברמה 12 ננומטר 32GB DDRAM מתוכנן להתחיל בייצור המוני בסוף השנה.
סמסונג הצהירה כי עם DRAM ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בתים, פיתרון שיכול להשיג עד 1TB של מודולי DRAM יכול לעמוד בביקוש ההולך וגובר לדרמה בעלת קיבולת גבוהה בעידן האינטליגנציה המלאכותית.
סמסונג פיתחה את דרמת 64KB הראשונה שלה בשנת 1983 והגדילה בהצלחה את קיבולת ה- DRAM שלה ב -500000 פעמים בארבעים השנים האחרונות.
מוצרי הזיכרון האחרונים של סמסונג מפותחים באמצעות תהליכים וטכנולוגיות מתקדמים לשיפור צפיפות האינטגרציה ואת אופטימיזציה של תכנון.יש להם את יכולת שבב ה- DRAM היחידה הגבוהה ביותר בתעשייה ומספקים פי שניים מהיכולת של DRAM5 של 16 ג'יגה -בייט באותו גודל אריזה.
בעבר, מודולי DRAM של DDR5 128GB המיוצרים באמצעות DRAM של 16 ג'יגה -בייט דרשו שימוש בטכנולוגיית סיליקון דרך חור (TSV).כעת, על ידי שימוש ב- Samsung 32GB DRAM, ניתן לייצר מודולים של 128 ג'יגה -בייט ללא שימוש בטכנולוגיית TSV, תוך הפחתת צריכת החשמל בכ- 10% לעומת 128 ג'יגה -בייט באמצעות DRAM של 16 ג'יגה -בייט.פריצת דרך טכנולוגית זו הופכת את המוצר הזה לאחד הפתרונות הטובים ביותר עבור ארגונים מודעים ליעילות אנרגיה כמו מרכזי נתונים.
בהתבסס על ה- DRAM5 ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בתים, סמסונג מתכננת להמשיך ולהרחיב את מערך המוצרים של DRAM בעל קיבולת גבוהה כדי לענות על הצרכים הנוכחיים והעתידיים של תעשיות המחשוב וה- IT.סמסונג תאשר מחדש את עמדת המנהיגות שלה בשוק ה- DRAM של הדור הבא על ידי מתן DRAM ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בייט ללקוחות במרכזי נתונים, בינה מלאכותית ויישומי מחשוב מהדור הבא.
סמסונג הודיעה על תחילת הייצור ההמוני של 12 ננומטר ברמה 16 ג'יגה -בייט DDRAM במאי השנה.DRAM החדש ברמה 12 ננומטר 32GB DDRAM מתוכנן להתחיל בייצור המוני בסוף השנה.
סמסונג הצהירה כי עם DRAM ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בתים, פיתרון שיכול להשיג עד 1TB של מודולי DRAM יכול לעמוד בביקוש ההולך וגובר לדרמה בעלת קיבולת גבוהה בעידן האינטליגנציה המלאכותית.
סמסונג פיתחה את דרמת 64KB הראשונה שלה בשנת 1983 והגדילה בהצלחה את קיבולת ה- DRAM שלה ב -500000 פעמים בארבעים השנים האחרונות.
מוצרי הזיכרון האחרונים של סמסונג מפותחים באמצעות תהליכים וטכנולוגיות מתקדמים לשיפור צפיפות האינטגרציה ואת אופטימיזציה של תכנון.יש להם את יכולת שבב ה- DRAM היחידה הגבוהה ביותר בתעשייה ומספקים פי שניים מהיכולת של DRAM5 של 16 ג'יגה -בייט באותו גודל אריזה.
בעבר, מודולי DRAM של DDR5 128GB המיוצרים באמצעות DRAM של 16 ג'יגה -בייט דרשו שימוש בטכנולוגיית סיליקון דרך חור (TSV).כעת, על ידי שימוש ב- Samsung 32GB DRAM, ניתן לייצר מודולים של 128 ג'יגה -בייט ללא שימוש בטכנולוגיית TSV, תוך הפחתת צריכת החשמל בכ- 10% לעומת 128 ג'יגה -בייט באמצעות DRAM של 16 ג'יגה -בייט.פריצת דרך טכנולוגית זו הופכת את המוצר הזה לאחד הפתרונות הטובים ביותר עבור ארגונים מודעים ליעילות אנרגיה כמו מרכזי נתונים.
בהתבסס על ה- DRAM5 ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בתים, סמסונג מתכננת להמשיך ולהרחיב את מערך המוצרים של DRAM בעל קיבולת גבוהה כדי לענות על הצרכים הנוכחיים והעתידיים של תעשיות המחשוב וה- IT.סמסונג תאשר מחדש את עמדת המנהיגות שלה בשוק ה- DRAM של הדור הבא על ידי מתן DRAM ברמה של 12 ננומטר 32 ג'יגה-בייט ללקוחות במרכזי נתונים, בינה מלאכותית ויישומי מחשוב מהדור הבא.