מפרטי טק VQ2001P
מפרטים טכניים Vishay Siliconix - VQ2001P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix - VQ2001P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | - | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V | |
| הספק - מקסימום | 2W | |
| אריזה / מארז | - | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 150pF @ 15V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | - | |
| מאפיין FET | - | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 600mA | |
| תְצוּרָה | 4 P-Channel | |
| מספר מוצר בסיס | VQ2001 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix VQ2001P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | VQ2001P | SI6943BDQ-T1-GE3 | FDR8508P | NTGD3149CT1G |
| יַצרָן | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | onsemi | onsemi |
| חֲבִילָה | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| סִדרָה | - | TrenchFET® | PowerTrench® | - |
| מאפיין FET | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 1mA | 800mV @ 250µA | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 150pF @ 15V | - | 750pF @ 15V | 387pF @ 10V |
| תְצוּרָה | 4 P-Channel | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | - | 10nC @ 4.5V | 12nC @ 5V | 5.5nC @ 4.5V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30V | 12V | 30V | 20V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2Ohm @ 1A, 12V | 80mOhm @ 2.5A, 4.5V | 52mOhm @ 3A, 10V | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| הספק - מקסימום | 2W | 800mW | 800mW | 900mW |
| מארז התקן של הספק | - | 8-TSSOP | SuperSOT™-8 | 6-TSOP |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 600mA | 2.3A | 3A | 3.2A, 2.4A |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מספר מוצר בסיס | VQ2001 | SI6943 | FDR85 | NTGD31 |
| אריזה / מארז | - | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
הורד VQ2001P PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay Siliconix עבור VQ2001P - Vishay Siliconix.
SI6943BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOPVQ2006PSILICNXFDR8508PonsemiMOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8NTGD3149CT1GonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
SH8K1TB1Rohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 5A SOP8
UPA2375T1P-E1-ARenesas Electronics America IncMOSFET 2N-CH 24V
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH TO252-4
AO4614BLAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC
NTUD3128NT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.16A SOT-963VQ2004JSILICONIX
SI1023CX-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V SC89-6VQ2001JSIL
SI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOICFDMC007N30DonsemiMOSFET 2 N-CHANNEL 30V 46A 8MLPFDMC0228onsemiINTEGRATED CIRCUITAOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2P-CH 8-SOIC
DMG6968UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
BUK7K8R7-40EXNexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.