מפרטי טק IXTP1R6N100D2
מפרטים טכניים IXYS - IXTP1R6N100D2, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXTP1R6N100D2
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | - | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | Depletion | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 100W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 645 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | Depletion Mode | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1000 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXTP1 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXTP1R6N100D2.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXTP1R6N100D2 | IXTP18P10T | IXTP16N50P | IXTP1R6N50D2 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) | 18A (Tc) | 16A (Tc) | 1.6A (Tc) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V | 120mOhm @ 9A, 10V | 400mOhm @ 8A, 10V | 2.3Ohm @ 800mA, 0V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1000 V | 100 V | 500 V | 500 V |
| מספר מוצר בסיס | IXTP1 | IXTP18 | IXTP16 | IXTP1 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | - | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | - |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±15V | ±30V | ±20V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | - |
| מאפיין FET | Depletion Mode | - | - | Depletion Mode |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 645 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V | 645 pF @ 25 V |
| סִדרָה | Depletion | TrenchP™ | Polar | Depletion |
| סוג FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 27 nC @ 5 V | 39 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 23.7 nC @ 5 V |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 100W (Tc) | 83W (Tc) | 300W (Tc) | 100W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
הורד IXTP1R6N100D2 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXTP1R6N100D2 - IXYS.
IXTP18P10TIXYSMOSFET P-CH 100V 18A TO220ABIXTP16N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
IXTP220N04T2 MOSIXYS / LittelfuseIXTP1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 1.6A TO220ABIXTP230N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 230A TO220ABIXTP160N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 160A TO220ABIXTP220N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 220A TO220ABIXTP160N075TIXYSMOSFET N-CH 75V 160A TO220ABIXTP240N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 240A TO220ABIXTP170N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 170A TO220ABIXTP160N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 160A TO220ABIXTP220N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 220A TO220ABIXTP200N055TIXYS / LittelfuseIXTP182N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 182A TO220ABIXTP200N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 200A TO220ABIXTP220N04TIXYS / LittelfuseIXTP152N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 152A TO220ABIXTP180N085TIXYSMOSFET N-CH 85V 180A TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.