מפרטי טק IXFN100N10S1
מפרטים טכניים IXYS - IXFN100N10S1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN100N10S1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 4mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 15mOhm @ 500mA, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 360W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN100 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN100N10S1.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN100N10S1 | IXFN100N65X2 | IXFK98N50P3 | IXFN100N10S2 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סִדרָה | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™ |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 650 V | 500 V | 100 V |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 180 nC @ 10 V | 183 nC @ 10 V | 197 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | TO-264-3, TO-264AA | SOT-227-4, miniBLOC |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | TO-264AA (IXFK) | SOT-227B |
| פיזור הספק (מקס ') | 360W (Tc) | 595W (Tc) | 1300W (Tc) | 360W (Tc) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 4mA | 5V @ 4mA | 5V @ 8mA | 4V @ 4mA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4500 pF @ 25 V | 10800 pF @ 25 V | 13100 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 15mOhm @ 500mA, 10V | 30mOhm @ 50A, 10V | 50mOhm @ 500mA, 10V | 15mOhm @ 500mA, 10V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| מספר מוצר בסיס | IXFN100 | IXFN100 | IXFK98 | IXFN100 |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) | 78A (Tc) | 98A (Tc) | 100A (Tc) |
הורד IXFN100N10S1 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN100N10S1 - IXYS.
IXFN100N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 78A SOT227BIXFK98N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 98A TO264AAIXFN10050PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN100N10S2IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N20IXYSMOSFET N-CH 200V 100A SOT-227BIXFK90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A TO-264IXFN102N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 88A SOT227BIXFL34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264IXFM6N90IXYS / LittelfuseIXFM6M100NOIGBT ModuleIXFN100N10S3IXYSMOSFET N-CH 100V 100A SOT-227BIXFN100N25IXYSMOSFET N-CH 250V 100A SOT-227BIXFN100N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 90A SOT-227BIXFN100N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 82A SOT227BIXFN102N30IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFM40N30NOIGBT ModuleIXFL38N100Q2IXYSMOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264IXFK94N50P2IXYSMOSFET N-CH 500V 94A TO264AA| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.