מפרטי טק IXFA110N15T2
מפרטים טכניים IXYS - IXFA110N15T2, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFA110N15T2
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-263 (D2Pak) | |
| סִדרָה | HiPerFET™, TrenchT2™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 13mOhm @ 55A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 480W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 8600 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 150 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFA110 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFA110N15T2.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFA110N15T2 | IXFA14N60P | IXFA130N10T2 | IXFA20N85XHV |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 8600 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V | 6600 pF @ 25 V | 1660 pF @ 25 V |
| אריזה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 150 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 250µA | 5.5V @ 2.5mA | 4.5V @ 1mA | 5.5V @ 2.5mA |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | 14A (Tc) | 130A (Tc) | 20A (Tc) |
| פיזור הספק (מקס ') | 480W (Tc) | 300W (Tc) | 360W (Tc) | 540W (Tc) |
| סִדרָה | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™, Ultra X |
| מספר מוצר בסיס | IXFA110 | IXFA14 | IXFA130 | IXFA20 |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 150 V | 600 V | 100 V | 850 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 13mOhm @ 55A, 10V | 550mOhm @ 7A, 10V | 9.1mOhm @ 65A, 10V | 330mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז התקן של הספק | TO-263 (D2Pak) | TO-263AA (IXFA) | TO-263AA (IXFA) | TO-263HV |
IXF6402BECIntelIXFA14N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 14A TO263
IXF1104CE.B0IXF1110CCIntelIXFA130N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO263IXF6401AEC-7LEVELONE
IXFA150N15X4IXYS / LittelfuseIXFA20N85XHVIXYSMOSFET N-CH 850V 20A TO263IXFA180N10T2 TRLIXYS / LittelfuseIXF6012EE B1IntelIXF6151BE A2IntelIXFA102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO263IXFA10N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 10A TO263IXFA18N60XIXYSMOSFET N-CH 600V 18A TO263AAIXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO263IXF3204BECORTINAIXFA12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO263AAIXFA180N10T2IXYSMOSFET N-CH 100V 180A TO263| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.