מפרטי טק EPC2016C
מפרטים טכניים EPC - EPC2016C, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- EPC - EPC2016C
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | EPC | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| מארז התקן של הספק | Die | |
| סִדרָה | eGaN® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | - | |
| אריזה / מארז | Die | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 420 pF @ 50 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- EPC EPC2016C.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | EPC2016C | EPC2024 | EPC2015 | EPC2039 |
| יַצרָן | EPC | EPC | EPC | EPC |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 40 V | 40 V | 80 V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -5V | +6V, -4V |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V | 1.5mOhm @ 37A, 5V | 4mOhm @ 33A, 5V | 25mOhm @ 6A, 5V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 19mA | 2.5V @ 9mA | 2.5V @ 2mA |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מארז התקן של הספק | Die | Die | Die | Die |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) | 90A (Ta) | 33A (Ta) | 6.8A (Ta) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| אריזה / מארז | Die | Die | Die | Die |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V | - | 11.6 nC @ 5 V | 2.4 nC @ 5 V |
| סִדרָה | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 420 pF @ 50 V | 2100 pF @ 20 V | 1200 pF @ 20 V | 210 pF @ 40 V |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 | EPC20 | EPC20 | EPC20 |
| פיזור הספק (מקס ') | - | - | - | - |
הורד EPC2016C PDF גיליונות נתונים ותיעוד EPC עבור EPC2016C - EPC.
EPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIEEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2202EPCGANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC2111EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2203EPCGANFET N-CH 80V 1.7A DIEEPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2051EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106EPCGANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2012CEPCGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2010CEPCGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC1PC8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.