מפרטי טק EPC2015C
מפרטים טכניים EPC - EPC2015C, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- EPC - EPC2015C
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | EPC | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 9mA | |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| מארז התקן של הספק | Die | |
| סִדרָה | eGaN® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | - | |
| אריזה / מארז | Die | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1180 pF @ 20 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 53A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- EPC EPC2015C.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | EPC2015C | EPC2036 | EPC2202 | EPC2010C |
| יַצרָן | EPC | EPC | EPC | EPC |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 4mOhm @ 33A, 5V | 65mOhm @ 1A, 5V | 17mOhm @ 11A, 5V | 25mOhm @ 12A, 5V |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | +6V, -4V | +5.75V, -4V | +6V, -4V |
| פיזור הספק (מקס ') | - | - | - | - |
| אריזה / מארז | Die | Die | Die | Die |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 | EPC20 | - | EPC20 |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1180 pF @ 20 V | 90 pF @ 50 V | 415 pF @ 50 V | 540 pF @ 100 V |
| סִדרָה | eGaN® | eGaN® | Automotive, AEC-Q101, eGaN® | eGaN® |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 53A (Ta) | 1.7A (Ta) | 18A (Ta) | 22A (Ta) |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | 100 V | 80 V | 200 V |
| מארז התקן של הספק | Die | Die | Die | Die |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 8.7 nC @ 5 V | 0.91 nC @ 5 V | 4 nC @ 5 V | 5.3 nC @ 5 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 9mA | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 3mA |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
הורד EPC2015C PDF גיליונות נתונים ותיעוד EPC עבור EPC2015C - EPC.
EPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2202EPCGANFET N-CH 80V 18A DIEEPC2010CEPCGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2106EPCGANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC2016CEPCGANFET N-CH 100V 18A DIEEPC2051EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIEEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC2111EPCGAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIEEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIEEPC2012CEPCGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEEPC1PC8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
EPC1LI20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.