מפרטי טק EPC2010C
מפרטים טכניים EPC - EPC2010C, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- EPC - EPC2010C
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | EPC | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| מארז התקן של הספק | Die | |
| סִדרָה | eGaN® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V | |
| פיזור הספק (מקס ') | - | |
| אריזה / מארז | Die | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 540 pF @ 100 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 5.3 nC @ 5 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) | |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- EPC EPC2010C.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | EPC2010C | EPC2016C | EPC2036 | EPC2015C |
| יַצרָן | EPC | EPC | EPC | EPC |
| Vgs (מקס ') | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -4V | +6V, -4V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta) | 18A (Ta) | 1.7A (Ta) | 53A (Ta) |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V | 16mOhm @ 11A, 5V | 65mOhm @ 1A, 5V | 4mOhm @ 33A, 5V |
| מספר מוצר בסיס | EPC20 | EPC20 | EPC20 | EPC20 |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V | 5V | 5V | 5V |
| סִדרָה | eGaN® | eGaN® | eGaN® | eGaN® |
| מארז התקן של הספק | Die | Die | Die | Die |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 3mA | 2.5V @ 600µA | 2.5V @ 9mA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 540 pF @ 100 V | 420 pF @ 50 V | 90 pF @ 50 V | 1180 pF @ 20 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 5.3 nC @ 5 V | 4.5 nC @ 5 V | 0.91 nC @ 5 V | 8.7 nC @ 5 V |
| פיזור הספק (מקס ') | - | - | - | - |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 200 V | 100 V | 100 V | 40 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) | GaNFET (Gallium Nitride) |
| אריזה / מארז | Die | Die | Die | Die |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
הורד EPC2010C PDF גיליונות נתונים ותיעוד EPC עבור EPC2010C - EPC.
EPC2016CEPCGANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC1PI8NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2036EPCGANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC1LI20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2015CEPCGANFET N-CH 40V 53A DIEEPC2012CEPCGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEEPC2038EPCGANFET N-CH 100V 500MA DIEEPC2014CEPCGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINEEPC1LC20NIntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2019EPCGANFET N-CH 200V 8.5A DIEEPC1LC20IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC2001CEPCGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEEPC2024EPCGANFET NCH 40V 60A DIEEPC1PI8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC1LI20IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCCEPC1PC8IntelIC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIPEPC2015EPCGANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINEEPC2039EPCGANFET N-CH 80V 6.8A DIE| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.