מפרטי טק IPD50P04P4L11ATMA2
מפרטים טכניים Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA2, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA2
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Infineon Technologies | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.2V @ 85µA | |
| Vgs (מקס ') | +5V, -16V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PG-TO252-3-313 | |
| סִדרָה | OptiMOS®-P2 | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 58W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 3900 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IPD50 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA2.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IPD50P04P4L11ATMA2 | IPD50R280CEBTMA1 | IPD50R2K0CEAUMA1 | IPD50R1K4CEBTMA1 |
| יַצרָן | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| סִדרָה | OptiMOS®-P2 | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 13A (Tc) | 2.4A (Tc) | 3.1A (Tc) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 3900 pF @ 25 V | 773 pF @ 100 V | 124 pF @ 100 V | 178 pF @ 100 V |
| מספר מוצר בסיס | IPD50 | IPD50R | IPD50R2 | IPD50R |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V | 280mOhm @ 4.2A, 13V | 2Ohm @ 600mA, 13V | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
| Vgs (מקס ') | +5V, -16V | ±20V | ±20V | ±20V |
| סוג FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| פיזור הספק (מקס ') | 58W (Tc) | 92W (Tc) | 33W (Tc) | 25W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.2V @ 85µA | 3.5V @ 350µA | 3.5V @ 50µA | 3.5V @ 70µA |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | 32.6 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | 1 nC @ 10 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| מארז התקן של הספק | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 |
| אריזה / מארז | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | 13V | 13V | 13V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
הורד IPD50P04P4L11ATMA2 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Infineon Technologies עבור IPD50P04P4L11ATMA2 - Infineon Technologies.
IPD50R280CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD50P04P4LINFIPD50P04P4-13 4P0413Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50P04P4L-11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R280CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 13A TO252-3IPD50R2K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3IPD50R1K4CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3IPD50P04P4L-114P04L11Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R280CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 13A TO252IPD50P04P4L-11 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50P04P413ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 50A TO252-3IPD50R1K4CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50P04P4-13 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R380CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50P04P4L11ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET P-CH 40V 50A TO252-3IPD50R280CE MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50P04P4-13Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD50R2K0CEInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET CE| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.