מפרטי טק FQP7P06
מפרטים טכניים onsemi - FQP7P06, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP7P06
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±25V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 410mOhm @ 3.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 45W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 295 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP7 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP7P06.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP7P06 | FQP85N06 | FQP7N80C | FQP85N06 |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| סִדרָה | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 295 pF @ 25 V | 4120 pF @ 25 V | 1680 pF @ 25 V | 4120 pF @ 25 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) | 85A (Tc) | 6.6A (Tc) | 85A (Tc) |
| סוג FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 60 V | 60 V | 800 V | 60 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V | 112 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 112 nC @ 10 V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 45W (Tc) | 160W (Tc) | 167W (Tc) | 160W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 410mOhm @ 3.5A, 10V | 10mOhm @ 42.5A, 10V | 1.9Ohm @ 3.3A, 10V | 10mOhm @ 42.5A, 10V |
| מספר מוצר בסיס | FQP7 | FQP85 | FQP7 | - |
| Vgs (מקס ') | ±25V | ±25V | ±30V | ±25V |
הורד FQP7P06 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP7P06 - onsemi.
FQP85N06onsemiMOSFET N-CH 60V 85A TO220-3FQP7N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP80N10Fairchild (onsemi)FQP8440Fairchild (onsemi)FQP85N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8FQP7N80C MOSFairchild (onsemi)FQP7P20Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7N65CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3FQP80N08Fairchild (onsemi)FQP7P20onsemiMOSFET P-CH 200V 7.3A TO220-3FQP7N60CFairchild (onsemi)FQP7P06 MOSFairchild (onsemi)FQP7N80CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FQP80N06Fairchild (onsemi)FQP7N80onsemiMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7P06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FQP7N80Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 6.6A TO220-3FQP7N65ConsemiMOSFET N-CH 650V 7A TO220-3| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.