מפרטי טק FQP3N25
מפרטים טכניים onsemi - FQP3N25, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FQP3N25
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | QFET® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.2Ohm @ 1.4A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 45W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 170 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 250 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FQP3 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FQP3N25.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FQP3N25 | FQP3N60 | FQP34N20 | FQP3N60C |
| יַצרָן | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 5.2 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) | 3A (Tc) | 31A (Tc) | 3A (Tc) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 170 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 3100 pF @ 25 V | 565 pF @ 25 V |
| סִדרָה | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 250 V | 600 V | 200 V | 600 V |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.2Ohm @ 1.4A, 10V | 3.6Ohm @ 1.5A, 10V | 75mOhm @ 15.5A, 10V | 3.4Ohm @ 1.5A, 10V |
| מספר מוצר בסיס | FQP3 | FQP3 | FQP34 | - |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| פיזור הספק (מקס ') | 45W (Tc) | 75W (Tc) | 180W (Tc) | 75W (Tc) |
הורד FQP3N25 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FQP3N25 - onsemi.
FQP3N60onsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP34N20onsemiMOSFET N-CH 200V 31A TO220-3FQP3N60CFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP3N60ConsemiMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP34N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 31A TO220-3FQP3N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 2.8A TO220-3FQP33N10LonsemiMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3FQP33N10onsemiMOSFET N-CH 100V 33A TO220-3FQP3N60Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 600V 3A TO220-3FQP3N30onsemiMOSFET N-CH 300V 3.2A TO220-3FQP3N50CFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFQP34N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP3N80onsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220-3FQP3N30Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP33N10 MOSFairchild (onsemi)FQP3N80ConsemiMOSFET N-CH 800V 3A TO220-3FQP34N20 MOSFairchild (onsemi)FQP33N10Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.