מפרטי טק FDA8440
מפרטים טכניים onsemi - FDA8440, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - FDA8440
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-3PN | |
| סִדרָה | PowerTrench® | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.1mOhm @ 80A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 306W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 24740 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 450 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | FDA84 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi FDA8440.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | FDA8440 | FDA62N28 | FDA75N28 | FDAF59N30 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| מארז התקן של הספק | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PN | TO-3PF |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 24740 pF @ 25 V | 4630 pF @ 25 V | 6700 pF @ 25 V | 4670 pF @ 25 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 3V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| מספר מוצר בסיס | FDA84 | - | FDA75 | FDAF59 |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Ta), 100A (Tc) | 62A (Tc) | 75A (Tc) | 34A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| פיזור הספק (מקס ') | 306W (Tc) | 500W (Tc) | 520W (Tc) | 161W (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3 Full Pack |
| סִדרָה | PowerTrench® | UniFET™ | UniFET™ | UniFET™ |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.1mOhm @ 80A, 10V | 51mOhm @ 31A, 10V | 41mOhm @ 37.5A, 10V | 56mOhm @ 17A, 10V |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 450 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 144 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 40 V | 280 V | 280 V | 300 V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
הורד FDA8440 PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור FDA8440 - onsemi.
FDA802-VYTSTMicroelectronics2X150 W - 1X300 W CLASS-D DIGITAFDA70N20 CMH82N25 MOSFairchild (onsemi)FDA62N28Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 280V 62A TO3PNFDA75N28onsemiMOSFET N-CH 280V 75A TO3PNFDA70N20 MOSFairchild (onsemi)FDAF59N25Fairchild (onsemi)FDAF59N30onsemiMOSFET N-CH 300V 34A TO3PFFDA70N20onsemiMOSFET N-CH 200V 70A TO3PNFDA70N10Fairchild (onsemi)
FDA803D-EHTSTMicroelectronicsIC AMP D MONO 45W POWERSSO36FDA62N28onsemiMOSFET N-CH 280V 62A TO3PN
FDA620010Diodes IncorporatedXTAL OSC XO 106.2500MHZ CMOS SMDFDA69N25onsemiMOSFET N-CH 250V 69A TO3PNFDA801-VYTSTMicroelectronicsIC AMP CLASS D QUAD 50W 64LQFP
FDAE1050-R33MP3Murata ElectronicsFDAF59N30Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 300V 34A TO3PFFDA70N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDAE1040-R36MP3Murata Electronics| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.