מפרטי טק EGP30J
מפרטים טכניים onsemi - EGP30J, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- onsemi - EGP30J
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | onsemi | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.7 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-201AD | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 75 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-201AD, Axial | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz | |
| מספר מוצר בסיס | EGP30 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- onsemi EGP30J.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | EGP30J | EGP30G | EGP50D-E3/73 | EGP30G-E3/73 |
| יַצרָן | onsemi | Fairchild Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 75 ns | 50 ns | 50 ns | 50 ns |
| אריזה / מארז | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 400 V |
| קיבול @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz | 75pF @ 4V, 1MHz | 95pF @ 4V, 1MHz | - |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) |
| מספר מוצר בסיס | EGP30 | - | EGP50 | EGP30 |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| סִדרָה | - | - | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600 V | 400 V | 200 V | 400 V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 5A | 3A |
| מארז התקן של הספק | DO-201AD | DO-201AD | GP20 | GP20 |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.7 V @ 3 A | 1.25 V @ 3 A | 950 mV @ 5 A | 1.25 V @ 3 A |
הורד EGP30J PDF גיליונות נתונים ותיעוד onsemi עבור EGP30J - onsemi.
EGP30GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, 3A, 400V, DO-20EGP50D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 5A GP20EGP30G T/BZOWIEEGP30G-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 400V 3A GP20
EGP30DonsemiDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
EGP50G-E3/23Electro-Films (EFI) / Vishay
EGP20JonsemiDIODE GEN PURP 600V 2A DO15EGP30ConsemiDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP30DL-6085GSEGP20JFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 2A DO15
EGPD500ELL302MM35HUnited Chemi-ConCAP ALUM 3000UF 20% 50V RADIAL
EGPD250ELL202MK20HUnited Chemi-ConCAP ALUM 2000UF 20% 25V RADIALEGP30CFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 150V 3A DO201ADEGP30DL-6486GSEGP50DElectro-Films (EFI) / VishayEGP50C-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 5A GP20EGP30GonsemiDIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
EGPA800ELL681MM30SUnited Chemi-ConCAP ALUM 680UF 20% 80V RADIAL| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.