SK Hynix מציגה את אסטרטגיית המוצר NAND Flash מהדור הבא בפסגת OCP 2025
ב-27 באוקטובר 2025, SK Hynix הודיעה שהיא הציגה את אסטרטגיית המוצר NAND flash מהדור הבא שלה ב"פסגה העולמית של OCP 2025" (להלן "הפסגה"), שהתקיימה בסן חוזה, קליפורניה, ארה"ב, בין ה-13 ל-16 באוקטובר בזמן מקומי.
החברה הצהירה: "עם הצמיחה המהירה של שוק הסקת הבינה המלאכותית, הביקוש בתעשייה למוצרי פלאש NAND המסוגלים לעבד במהירות וביעילות נפחי נתונים מסיביים גואה. כדי לתת מענה לכך, נקים את סל המוצרים 'AIN (AI-NAND) Family' - חבילת פתרונות מותאמת לעידן הבינה המלאכותית כדי לענות באופן מקיף על צרכי הלקוחות המגוונים".
במהלך מושב ההנהלה ביום השני של הפסגה, קים צ'און-סונג, סגן נשיא לפיתוח מוצר SSD ארגוני (eSSD) ב-SK hynix, הציג את תיק ה-AIN Family כנואם מרכזי.
משפחת AIN כוללת פתרונות פלאש NAND המותאמים לביצועים, רוחב פס וצפיפות, במטרה להאיץ את מהירויות עיבוד הנתונים תוך מקסום קיבולת האחסון.
AIN P (ביצועים) הוא פתרון בעל יעילות גבוהה שתוכנן עבור קלט/פלט נתונים מסיביים בסביבות הסקת AI בקנה מידה גדול.על ידי מזעור צווארי בקבוק בין חישוב בינה מלאכותית לאחסון, זה מגביר משמעותית את מהירות העיבוד ואת יעילות האנרגיה.כדי להשיג זאת, החברה מעצבת מחדש פלאש NAND ובקרים עם ארכיטקטורה חדשה, ומתכננת לשחרר דוגמאות עד סוף 2026.
לעומת זאת, AIN D (צפיפות) הוא פתרון בעל קיבולת גבוהה המיועד לאחסון נתונים מאסיבי בהספק ובעלות נמוכה, המתאים במיוחד לאחסון נתונים בינה מלאכותית.בהשוואה לכונני SSD קיימים מסוג TB המבוססים על QLC*, AIN D יכול להגדיל את קיבולת האחסון עד לרמת PB תוך איזון בין הביצועים המהירים של כונני SSD לבין העלות-תועלת של כונני HDD, ולמצב אותו כמוצר אחסון מדורג.
לבסוף, AIN B (רוחב פס) הוא פתרון שמרחיב את רוחב הפס על ידי ערימת זיכרון פלאש NAND.מוצר זה משתמש בטכנולוגיית 'HBF*' הקניינית של החברה.